Samsung Electronics ha annunciato l’inizio dello sviluppo della sua DRAM DDR5 da 16 gigabit (Gb) costruita utilizzando la tecnologia di processo a 12 nanometri (nm), nonché il completamento della valutazione del prodotto per la compatibilità con AMD.

"La nostra DRAM a 12nm sarà un fattore chiave per favorire l’adozione a livello di mercato delle DRAM DDR5", ha dichiarato Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics. "Con prestazioni ed efficienza energetica eccezionali, ci aspettiamo che la nostra nuova DRAM funga da base per operazioni più sostenibili in aree come l’informatica di nuova generazione, i data center e i sistemi basati sull’intelligenza artificiale".

"L’innovazione spesso richiede una stretta collaborazione con i partner del settore per spingere i limiti della tecnologia", ha affermato Joe Macri, Senior VP, Corporate Fellow and Client, Compute and Graphics CTO di AMD. "Siamo entusiasti di collaborare ancora una volta con Samsung, in particolare per l’introduzione di prodotti di memoria DDR5 ottimizzati e convalidati su piattaforme ‘Zen’."

Questo salto tecnologico è stato reso possibile attraverso l’uso di un nuovo materiale ad alta conducibilità termica che aumenta la capacità delle celle e una tecnologia di progettazione proprietaria che migliora le caratteristiche critiche del circuito. In combinazione con l’avanzata litografia ultravioletta estrema (EUV) multistrato, la nuova DRAM contribuirà a sbloccare velocità fino a 7,2 gigabit al secondo (Gbps). Ciò si traduce nella capacità del chip di elaborare due film in UHD da 30 gigabyte (GB) in un solo secondo. La velocità della nuova DRAM viene accompagnata da una maggiore efficienza energetica, con un consumo stimato dal produttore a fino il 23% in meno rispetto alla DRAM di precedente generazione.

Samsung ha previsto l’inizio della produzione di massa di questa DRAM nel 2023, con destinazione su una vasta gamma di prodotti.