Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato con successo la prima DRAM LPDDR5 a 8-gigabit (Gb) a 10 nanometri (nm) del settore. Nel suo blog, Samsung ha spiegato di avere iniziato a lavorare per la transizione allo standard LPDDR5 da utilizzare nelle prossime applicazioni mobili 5G e di Intelligenza Artificiale (IA) già dopo aver iniziato a produrre in massa la prima DRAM LPDDR4 da 8GB nel 2014.
La DRAM LPDDR5 da 8GB di recente sviluppo è l’ultima aggiunta alla gamma DRAM premium di Samsung, che include a 10nm la DRAM GDDR6 da 16GB (in produzione di massa da Dicembre 2017) e la DRAM DDR5 da 16GB (sviluppata lo scorso febbraio).
"Questo sviluppo di DRAM LPDDR5 da 8GB rappresenta un importante passo in avanti per le soluzioni di memoria mobile a bassa potenza", ha affermato Jinman Han, vicepresidente senior di Memory Product Planning & Application Engineering presso Samsung Electronics. "Continueremo ad espandere la nostra gamma di DRAM di nuova generazione a 10nm mentre acceleriamo il passaggio verso un maggiore utilizzo delle memorie premium in tutto il panorama globale".
La DRAM LPDDR5 da 8GB vanta una velocità di scambio dati fino a 6.400 megabit al secondo (Mb/s), che è 1,5 volte più veloce dei chip DRAM mobili utilizzati negli attuali dispositivi mobili di punta (LPDDR4X arriva ad una velocità di 4266Mb/s). Con l’aumento della velocità di trasferimento, la nuova DRAM LPDDR5 può inviare 51,2 gigabyte (GB) di dati, o circa 14 file video full HD (3,7 GB ciascuno), in un secondo.
Samsung DRAM LPDDR5 da 8GB
Samsung ha previsto di offrire, inizialmente, la DRAM LPDDR5 a 10nm in due larghezze di banda – 6.400 Mb/s con una tensione operativa di 1,1 (V) e 5.500 Mb/s con tensione operativa di 1,05 V – rendendola la soluzione di memoria mobile più versatile per smartphone e sistemi automobilistici di prossima generazione.
Samsung è riuscita ad ottenere questi risultati in miglioramento delle prestazioni attraverso numerosi miglioramenti nell’architettura di costruzione del chip. Raddoppiando il numero di "banchi" di memoria (suddivisioni all’interno di una cella DRAM) da otto a 16, la nuova DRAM può raggiungere una velocità molto più elevata riducendo al contempo il consumo energetico. La memoria LPDDR5 da 8GB fa uso anche di un’architettura "circuitale" altamente avanzata e ottimizzata per la velocità che verifica e garantisce le prestazioni del chip ad altissima velocità.
Per massimizzare il risparmio energetico, la tecnologia LPDDR5 in classe 10nm è stata progettata per abbassare la tensione in base alla velocità operativa del processore dell’applicazione corrispondente, quando si trova in modalità attiva. Inoltre, è stata configurata per evitare di sovrascrivere le celle con valori "0" e il nuovo chip offrirà una ‘modalità di sospensione profonda’ per ridurre l’utilizzo di energia di circa la metà rispetto alla ‘modalità inattiva’ dell’attuale DRAM LPDDR4X. Grazie a queste funzioni a basso consumo energetico, Smasung confida nel fatto che la DRAM LPDDR5 da 8GB offre riduzioni del consumo energetico fino al 30 percento, massimizzando le prestazioni dei dispositivi mobili ed estendendo la durata della batteria degli smartphone.
Samsung DRAM LPDDR5 da 8GB
Samsung prevede che la tecnologia LPDDR5 sarà in grado di alimentare applicazioni di intelligenza artificiale e di apprendimento automatico e che sarà compatibile con i dispositivi mobili UHD in tutto il mondo. Insieme ai principali fornitori di chip globali, Samsung ha completato il test funzionale e la convalida di un prototipo di DRAM LPDDR5 da 8 GB, che comprende otto chip LPDDR5 da 8 Gb.
Sfruttando l’infrastruttura di produzione nella sua fabbrica piu’ recente a Pyeongtaek, in Corea, Samsung prevede di iniziare la produzione di massa delle sue DRAM di nuova generazione (LPDDR5, DDR5 e GDDR6) in linea con le richieste dei clienti globali.
