Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie la prima DRAM DDR4 da 8gigabit (Gb) di seconda generazione con processo costruttivo a 10 nanometri per l’uso in una vasta gamma di dispositivi di nuova generazione perchè in grado di offrire prestazioni ed efficienza energetica elevate con dimensioni ridotte rispetto le DRAM DDR4 da 8gigabit di generazione precedente.
"Sviluppando tecnologie innovative nella progettazione e nel processo dei circuiti DRAM, abbiamo superato quella che è stata una delle principali barriere per la scalabilità della DRAM", ha dichiarato Gyoyoung Jin, presidente del business Memory di Samsung Electronics. "Attraverso un rapido sviluppo di DRAM di seconda generazione a 10nm espanderemo la nostra produzione di DRAM di classe 10nm in modo più aggressivo, al fine di soddisfare una forte domanda del mercato e continuare a rafforzare la nostra competitività aziendale".
La DDR4 da 8 Gb a 10 nm di seconda generazione di Samsung promette prestazioni migliori del 30 percento circa rispetto alla DDR4 da 8 Gb a 10 nm di prima generazione dello stesso produttore sudcoreano, il quale promette anche nuovi livelli di prestazioni piu’ elevati ed una maggiore efficienza energetica dal 10 al 15 per cento grazie all’uso di una tecnologia avanzata e proprietaria di progettazione dei circuiti. La nuova DRAM DDR4 da 8 Gb può funzionare a 3.600 megabit al secondo (Mbps) per pin, rispetto ai 3.200 Mbps della precedente DRAM DDR4 da 8 Gb dell’azienda. Per arrivare ad ottenere questi risultati, Samsung ha lavorato sullo sviluppo di nuove tecnologie senza l’utilizzo di un processo EUV e includendo nelle nuove DRAM l’uso di un sistema di rilevamento dati cellulare ad alta sensibilità e uno schema progressivo di "distanziamento dell’aria".
Nelle celle della DRAM di seconda generazione a 10nm di Samsung un sistema di rilevamento dati di nuova concezione consente una determinazione più accurata dei dati memorizzati in ogni cella, il che si traduce in un aumento del livello di integrazione del circuito. Inoltre, la nuova DRAM a 10nm utilizza anche un distanziatore d’aria che permette di ridurre la "Capacità parassita" – la presenza di effetti capacitivi indesiderati che allontanano il comportamento di un componente reale rispetto ad uno ideale e che esiste tra le parti di un circuito elettronico a causa della loro vicinanza l’una all’altra. Quando due conduttori elettrici a tensioni diverse sono troppo vicini tra loro, vengono influenzati negativamente dal reciproco campo elettrico e immagazzinano le cariche elettriche opposte, come quelle prodotte da un condensatore. L’uso del distanziatore d’aria consente non solo un più alto livello di ridimensionamento dello spazio, ma anche un funzionamento delle celle migliore.
Con questi progressi, Samsung sta ora accelerando i propri piani per introdurre molto più veloci chip e sistemi DRAM di prossima generazione, inclusi DDR5, HBM3, LPDDR5 e GDDR6, per l’uso in server aziendali, dispositivi mobili, supercomputer, sistemi HPC e schede grafihe ad alta velocità.
Samsung ha terminato di convalidare i suoi moduli DDR4 di seconda generazione a 10nm con i produttori di CPU e ha in programma di lavorare a stretto contatto con i suoi clienti IT a livello globale nello sviluppo di sistemi informatici di nuova generazione più efficienti.
Inoltre, Samsung Electronics prevede non solo di aumentare rapidamente il volume di produzione delle DRAM di seconda generazione a 10nm ma anche di produrre più DRAM tradizionali a 10nm di 1a generazione cosi’ da soddisfare la crescente richiesta di DRAM nei sistemi elettronici premium in tutto il mondo.
