Samsung Electronics ha annunciato l’introduzione della prima memoria RAM LPDDR4 (bassa potenza, double data rate 4) da 8GB per dispositivi mobili, che dovrebbe migliorare notevolmente l’esperienza d’uso di smartphone, in particolare per quelli che utilizzano ampi display e di risoluzione Ultra HD. Il pacchetto DRAM mobile da 8GB utilizza quattro dei più recenti chip di memoria LPDDR4 da 16 gigabit e la tecnologia di produzione a 10 nanometri (nm).

Nel dicembre 2014, Samsung ha introdotto un pacchetto DRAM da 4 GB LPDDR4 che ha aperto la strada per i telefoni e i tablet che oggi troviamo sul mercato con 4GB di RAM. Ci sono anche dispositivi di fascia alta con 6 GB di RAM, ma ora Samsung ha annunciato la prima DRAM mobile da 8GB LPDDR4.

"L’ avvento della nostra potente soluzione di DRAM mobile da 8 GB consentirà di avere dispositivi mobili di punta di nuova generazione piu’ capaci, in tutto il mondo", ha detto Joo Sun Choi, executive vice president of Memory Sales and Marketing di Samsung Electronics. "Continueremo a fornire soluzioni di memoria avanzate che offrono i più alti valori e benefici all’avanguardia per soddisfare le esigenze crescenti dei dispositivi con doppia fotocamera, caratteristiche 4K UHD e VR."

La nuova memoria RAM da 8GB LPDDR4 opera fino a 4.266 megabit al secondo (Mbps), che è due volte più veloce della DRAM DDR4 per i PC che lavorano in genere a 2.133 Mbps per pin. Con una memoria bus da 64 bit (x64), la trasmissione di dati puo’ arrivare a 34GBs al secondo.

Mentre molti PC di fascia alta ultra-sottili utilizzano DRAM da 8 GB attualmente, Samsung promette che il nuovo pacchetto da 8GB LPDDR4 aiuterà altri dispositivi mobili di nuova generazione a trarre pieno vantaggio dalle sua elevate capacità. Ad esempio, i tablet equipaggiati con la DRAM da 8GB LPDDR4 consentiranno il funzionamento di macchine virtuali e riprodurre in maniera fluida video 4K UHD, caratteristiche popolari di molti PC di alta qualità.

La DRAM di Samsung da 8GB LPDDR4 è stata progettata anche per consumare meno energia, grazie all’uso della più recente tecnologia di processo di costruzione a 10nm. Questo ha permesso a Samsung di raddoppiare la capacità della DRAM rispetto al pacchetto da 4GB costruita con processo a 20nm consumando approssimativamente la stessa quantità di energia.

La memoria ha dimensioni XYZ di circa 15x15x1,0 millimetri, che soddisfa i requisiti di spazio della maggior parte dei nuovi dispositivi mobili ultra sottili. Usare un pacchetto di DRAM più sottile di 1,0 mm permette al produttore di impilare il chip insieme con una memoria UFS o un processore, a seconda delle preferenze, cosi’ da avere un ulteriore risparmio di spazio sulla scheda a circuito stampato.

Nel mese di agosto dello scorso anno, Samsung ha introdotto la prima DRAM del settore da 12Gb LPDDR4 costruita con processo a 20 nanometri. Dopo solo un periodo di sviluppo di 14 mesi, Samsung sta ora introducendo le prime DRAM da 16Gb LPDDR4 a 10nm e per il mobile la DRAM da 8GB LPDDR4 sperando di "accelerare il lancio di dispositivi mobili di nuova generazione, con prestazioni ancora più avanzate" si legge in una nota di Samsung.

Nei prossimi mesi, Samsung continuerà ad espandere la produzione dei suoi prodotti DRAM basati sul processo costruttivo a 10nm, tecnologia ad oggi utilizzata solo presso una linea di fabbricazione di Samsung ma che si prevede verrà estesa in altre fabbriche nel prossimo futuro, per soddisfare le sempre crescenti richieste di DRAM mobile avanzate.