Samsung annuncia microSD SD Express con velocità fino a 800 MB/s

Samsung presenta la nuova scheda di memoria microSD in uscita sul mercato globale nel corso del 2024 da 256 GB e con SD Express e velocità in lettura quattro volte superiore rispetto alle microSD UHS-1 fino a 200 MB/s. Inoltre, l’azienda ha annunciato l’inizio della produzione in massa della microSD UHS-1 da 1TB con la più recente tecnologia V-NAND.

Samsung ha annunciato che lancerà sul mercato nel corso di quest’anno due nuove schede di memoria microSD. La prima è una novità e si basa sull’interfaccia SD Express e offre 256 GB di storage con velocità in lettura fino a quattro volte superiori rispetto alle microSD UHS-1 fino a 200 MB/s. La seconda è basata sullo standard UHS-1 e sulla tecnologia V-NAND e offre una capacità di memoria di 1TB. Secondo Hangu Sohn, Vice Presidente del Memory Brand Product Biz Team di Samsung Electronics, si tratta di due nuove schede progettate per offrire ai consumatori “soluzioni efficaci” che possano “soddisfare le crescenti esigenze del mobile computing e dell’intelligenza artificiale sui dispositivi“. Andiamo a conoscere meglio entrambe le nuove schede, almeno con le caratteristiche principali annunciate ad oggi dal produttore sudcoreano.

Samsung annuncia microSD SD Express con velocità fino a 800 MB/s

Partendo dalla nuova schedina microSD di fascia alta del produttore sudcoreano, la nuova microSD di Samsung basata sull’interfaccia SD Express e con velocità in lettura fino a 800 MB/s è il frutto di una collaborazione con un cliente per portare sul mercato un prodotto personalizzato. Chi sia questo cliente non si sa ma il design della schedina è progettato a basso consumo e per garantire performance e una gestione termica di alto livello, spiega l’azienda. Infatti, per garantire una temperatura ottimale della schedina anche durante le sessioni di utilizzo più intensive Samsung ha riferito di avere scelto di integrare la tecnologia Dynamic Thermal Guard (DTG).

Secondo Hangu Sohn, questa nuova scheda microSD SD Express è in grado di offrire prestazioni e capacità che si avvicinano a quelle di un SSD ma in un fattore di forma ridotto. Lo scopo è di “aiutare gli utenti ad ottenere di più dalle impegnative applicazioni moderne e future“, ha spiegato Sohn.

Passando alle specifiche tecniche, Samsung riferisce che la sua nuova microSD SD Express da 256 GB supporta velocità in lettura sequenziale fino a 800 MB/s. Per quantificare, si tratterebbe di una lettura più veloce fino a 1,4 volte rispetto alle unità SSD SATA (con velocità fino a 560 MB/s) e di quattro volte rispetto alle microSD UHS-1 (con velocità fino a 200 MB/s). Si potrà utilizzare per espandere la memoria di diversi tipi di dispositivi, dai PC passando ai dispositivi mobili.

Samsung ha previsto la disponibilità sul mercato per l’acquisto di questa nuova scheda microSD SD Express da 256 GB entro la fine del 2024. Il prezzo non è stato ancora rivelato.

Nuova anche la scheda microSD UHS-1 da 1TB con V-NAND da 1Tb

Samsung ha annunciato anche il lancio quest’anno della sua nuova scheda microSD da 1 TB a otto strati di V-NAND da 1 terabit (Tb) di ottava generazione. Anche con questa schedina, l’azienda promette prestazioni ad alta capacità paragonabili agli SSD. Inoltre, Samsung garantisce il funzionamento anche in ambienti difficili grazie al superamento di diversi test per resistere all’acqua, alle temperature estreme, alle cadute e all’usura, così come ai raggi X. Comunque sia, l’azienda precisa che non si potrà ritenere responsabile per eventuali danni e/o perdite di dati.

In particolare, Samsung ha riferito di avere testato la scheda per la resistenza in acqua salata fino a 1 metro di profondità per 72 ore. Un altro test ha riguardato la temperatura operativa, che va da un minimo di 25 gradi Celsius sotto lo zero fino ad un massimo di 85 gradi Celsius sopra lo 0 (da -13° F a 185° F). Il range di temperature non operative a cui la schedina potrebbe resistere va da un minimo di 40 gradi Celsius sotto lo zero fino ad un massimo di 85 gradi Celsius sopra lo zero (da -40° F a 185° F). La nuova scheda da 1TB ha superato anche i test di resistenza ai raggi X standard dell’aeroporto (fino a 100 mGy) e al campo magnetico equivalente a quello di uno scanner MRI ad alto campo (fino a 15.000 gauss), oltre alle cadute fino a 5 metri (16,4 piedi).

Riguardo la disponibilità della scheda microSD UHS-1 da 1 TB, Samsung ha previsto di rilasciarla sul mercato per l’acquisto prima del prossimo mese di settembre. La produzione in massa è iniziata. Il prezzo non è stato ancora rivelato.