Apple sta già lavorando sodo sugli iPhone 16, i nuovi melafonini che arriveranno dopo l’estate: la Mela pensa a una importante novità.
Lo scorso settembre Apple ha lanciato sul mercato gli iPhone 15. In questi mesi i quattro nuovi telefoni – iPhone 15 ‘standard’, iPhone 15 Plus, iPhone 15 Pro e iPhone 15 Pro Max – hanno ottenuto un riscontro importante sul mercato.
I risultati per la Mela sono molto soddisfacenti e gli utenti sono decisamente soddisfatti dalle potenzialità di questi dispositivi. Proprio per questo si fa già un gran parlare degli iPhone 16, ovvero dei nuovi melafonini che la società del CEO Tim Cook presenterà ufficialmente a settembre 2024.
iPhone 16, cambia la memoria flash: la novità di Apple
Nonostante manchino circa otto mesi al lancio sul mercato di questi nuovi prodotti sono già molte le indiscrezioni che circolano sul web e che riguardano proprio le principali caratteristiche degli iPhone 16.
La Mela sta pensando a qualche novità molto interessante e qualcuna di queste è già trapelata nei vari rumors. Proprio nelle scorse ore è emerso che Apple starebbe pensando di sostituire il tipo di memoria flash per gli iPhone 16 con capacità maggiori.
L’obiettivo della società californiana è di introdurre una NAND Quad-Level Cell (QLC), un’alternativa che garantirebbe alla Mela un certo risparmio. Negli ultimi anni, infatti, la quantità di memoria degli iPhone è cresciuta parecchio ma questo ha ovviamente comportato una spesa maggiore in termini di hardware.
Secondo quanto riportato dal sito DigiTimes, con il passaggio alla NAND Quad-Level Cell (QLC) è possibile memorizzare quattro bit di dati per cella di memoria invece di tre.
Per farla breve la novità su cui sta ragionando Apple consentirebbe di immagazzinare molti più dati usando praticamente lo stesso numero di celle. Una soluzione che farebbe risparmiare un bel po’ di soldi al gigante di Cupertino.
Con la QLC emerge un problema: ecco quale
Non mancano le perplessità, a cominciare dal fatto che la NAND Quad-Level Cell (QLC) è meno affidabile della NAND flash Triple-Level Cell (TLC) utilizzata finora. Le celle contengono ognuna un bit in più: ciò significa un maggior numero di scritture per ogni cella e di conseguenza una minore resistenza alla scrittura dei dati.
I maggiori livelli di carica introdotti con la QLC, assieme ai margini ridotti nella lettura dei dati, possono portare a un incremento degli errori dei bit. Cosa significa?
Per essere più chiari, con l’eventuale introduzione della QLC sugli iPhone 16 con 1 TB di memoria i possessori di questi telefoni potrebbero ritrovarsi a fare i conti con delle velocità di scrittura dati più lente rispetto ai modelli con meno memoria. Non esattamente l’ideale per gli utenti che richiedono una capacità di archiviazione molto ampia.
Tuttavia, questa differenza sembra creare qualche preoccupazione a coloro che utilizzano computer da lavoro: per i dispositivi mobili la problematica dovrebbe risultare molto meno impattante.
