A quattro anni dall’introduzione della prima soluzione UFS, l’eUFS da 128 gigabyte (GB), Samsung ha superato la tanto attesa soglia del terabyte nel campo dello storage per smartphone. Samsung Electronics ha infatti annunciato di aver iniziato a produrre in serie il primo chip di memoria Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 da un terabyte (TB) del settore, da utilizzare sui dispositivi mobili di prossima generazione.  Gli appassionati di smartphone saranno quindi presto in grado di usufruire di una capacità di archiviazione paragonabile a quella di un PC notebook premium, senza aver bisogno di inserire nei loro telefoni schede di memoria aggiuntive.

"L’eUFS da 1TB dovrebbe svolgere un ruolo fondamentale nel portare un’esperienza utente simile a quella di un notebook alla prossima generazione di dispositivi mobili", ha affermato Cheol Choi, vicepresidente esecutivo di Memory Sales & Marketing presso Samsung Electronics. "Inoltre, Samsung si impegna a garantire la supply chain più affidabile e quantità di produzione adeguate per supportare il lancio tempestivo dei futuri smartphone di punta nell’accelerazione della crescita del mercato mobile globale".

Il nuovo chip di memoria eUFS da 1TB mantiene le stesse dimensioni del chip di memoria 512 GB di precedente generazione (115mm x 13.0mm) raddoppiando pero’ la capacità rispetto a quest’ultimo, combinando 16 livelli sovrapposti della memoria flash V-NAND da 512 gigabit (Gb) più avanzata di Samsung e un nuovo proprietario controller.

Grazie alle capacità della memoria eUFS da 1TB gli utenti di smartphone che la monteranno saranno in grado di memorizzare 260 video di 10 minuti in formato 4K UHD (3840×2160), mentre l’eUFS da 64 GB ampiamente utilizzato in molti smartphone di fascia alta oggi sul mercato è in grado di memorizzare 13 video della stessa dimensione.

L’eUFS da 1TB vanta anche maggiori velocità di lettura/scrittura, consentendo agli utenti di trasferire grandi quantità di contenuti multimediali in un tempo notevolmente ridotto. Con una capacità di lettura fino a 1.000 megabyte al secondo (MB/s), la nuova eUFS presenta circa il doppio della velocità di lettura sequenziale di un’unità SSD (SSD) da 2,5 pollici tipica. Ciò significa che i video Full HD da 5 GB possono essere scaricati su un SSD NVMe in soli cinque secondi, ovvero 10 volte la velocità di una tipica scheda microSD. Inoltre, la velocità di lettura casuale è aumentata fino al 38% rispetto alla versione da 512 GB, con un incremento fino a 58.000 IOPS. Le scritture casuali sono 500 volte più veloci di una scheda microSD ad alte prestazioni (100 IOPS), arrivando fino a 50.000 IOPS. Le velocità casuali consentono di effettuare scatti continui ad alta velocità a 960 fotogrammi al secondo e consentiranno su smartphone di sfruttare appieno le funzionalità multi-camera nei modelli di punta di oggi e di domani.

Samsung prevede di espandere la produzione della sua scheda V-NAND 512 GB di quinta generazione nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea durante la prima metà del 2019 per soddisfare pienamente la prevista forte domanda di eUFS da 1TB da produttori di dispositivi mobili in tutto il mondo.

Confronto delle prestazioni di chip di memorie interne

Samsung 1TB eUFS 2.1 (Gen. 2019):
Velocità di Lettura sequenziale: 1000 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 260 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 58,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 50,000 IOPS

Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017):
Velocità di Lettura sequenziale: 860 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 255 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 42,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 40,000 IOPS

Samsung eUFS 2.1 per automotive (Set. 2017):
Velocità di Lettura sequenziale: 850 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 150 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 45,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 32,000 IOPS

Samsung 256GB UFS Card (Lug. 2016):
Velocità di Lettura sequenziale: 530 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 170 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 40,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 35,000 IOPS

Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016):
Velocità di Lettura sequenziale: 850 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 260 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 45,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 40,000 IOPS

Samsung 128GB eUFS 2.0 (Gen. 2015):
Velocità di Lettura sequenziale: 350 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 150 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 19,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 14,000 IOPS

eMMC 5.1:
Velocità di Lettura sequenziale: 250 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 125 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 11,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 13,000 IOPS

eMMC 5.0:
Velocità di Lettura sequenziale: 250 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 90 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 7,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 13,000 IOPS

eMMC 4.5:
Velocità di Lettura sequenziale: 140 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 50 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 7,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 2,000 IOPS

Samsung eUFS 1TB 2.1