Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie il primo Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 da 512 gigabyte (GB) per dispositivi mobili di prossima generazione. Versioni da 128GB, 256GB e 1TB saranno disponibili entro fine anno. In linea con le specifiche eUFS 3.0 più recenti, la nuova memoria Samsung offre il doppio della velocità dello storage eUFS di standard precedente (eUFS 2.1), consentendo alla memoria mobile di supportare esperienze utente superiori negli smartphone futuri con schermi e piu’ grandi e ad alta risoluzione.

"L’inizio della produzione di massa della nostra gamma eUFS 3.0 ci offre un grande vantaggio nel mercato mobile di prossima generazione a cui stiamo portando una velocità di lettura della memoria che prima era disponibile solo su laptop ultra-slim", ha dichiarato Cheol Choi, vicepresidente esecutivo del Memory Sales & Marketing presso Samsung Electronics. "Man mano che espanderemo le nostre offerte eUFS 3.0, inclusa una versione da 1 Terabyte (TB) entro la fine dell’anno, ci aspettiamo di svolgere un ruolo importante nell’accelerare lo slancio nel mercato mobile premium."

Samsung ha prodotto la prima interfaccia UFS del settore con eUFS 2.0 nel gennaio 2015, che era 1,4 volte più veloce rispetto allo standard di memoria mobile in quel momento, notav come la scheda multimediale integrata (eMMC) 5.1. In soli quattro anni, il nuovo standard eUFS 3.0 della società è in grado di fornire le prestazioni dei notebook ultra-sottili di oggi.

La scheda di memoria eUFS 3.0 di Samsung è in grado di viaggiare a 2.100 megabyte al secondo (MB/s), raddoppiando cosi’ la velocità di lettura sequenziale della precedente memoria eUFS 2.1 di Samsung, annunciata all’inizio di quest’anno, nello scorso mese di gennaio. La velocità di lettura della nuova soluzione è quattro volte più veloce di un’unità SATA a stato solido (SSD) e 20 volte più veloce di una tipica scheda microSD, consentendo agli smartphone premium di trasferire un film Full HD su un PC in circa tre secondi (il calcolo si basa sul trasferimento di un file di film full HD da 3,7 GB da un dispositivo mobile con eUFS 3.0 da 512GB ad un PC con interfaccia SSD di memoria non volatile (NVMe)). Inoltre, la velocità di scrittura sequenziale è stata migliorata del 50% a 410 MB/s, ed è equivalente a quella di un disco SSD SATA.

Le velocità di lettura e scrittura casuali della nuova memoria forniscono un aumento del 36% rispetto alla specifica eUFS 2.1, rispettivamente a 63.000 e 68.000 operazioni di input/output al secondo (IOPS). Con questi guadagni significativi in lettura e scrittura casuali che sono più di 630 volte più veloci delle schede microSD tradizionali (100 IOPS), è possibile eseguire contemporaneamente numerose applicazioni complesse, ottenendo al tempo stesso una maggiore reattività, in particolare sulla più recente generazione di dispositivi mobili.

In seguito al rilascio della scheda di memoria mobile eUFS 3.0 da 512GB e da 128GB questo mese, Samsung prevede di produrre modelli da 1TB e 256GB nella seconda metà dell’anno.

Confronto delle prestazioni di chip di memoria mobile

Samsung 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019):
Velocità di Lettura sequenziale: 2100 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 410 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 63,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 68,000 IOPS

Samsung 1TB eUFS 2.1 (Gen. 2019):
Velocità di Lettura sequenziale: 1000 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 260 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 58,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 50,000 IOPS

Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017):
Velocità di Lettura sequenziale: 860 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 255 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 42,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 40,000 IOPS

Samsung eUFS 2.1 per automotive (Set. 2017):
Velocità di Lettura sequenziale: 850 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 150 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 45,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 32,000 IOPS

Samsung 256GB UFS Card (Lug. 2016):
Velocità di Lettura sequenziale: 530 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 170 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 40,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 35,000 IOPS

Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016):
Velocità di Lettura sequenziale: 850 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 260 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 45,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 40,000 IOPS

Samsung 128GB eUFS 2.0 (Gen. 2015):
Velocità di Lettura sequenziale: 350 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 150 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 19,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 14,000 IOPS

eMMC 5.1:
Velocità di Lettura sequenziale: 250 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 125 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 11,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 13,000 IOPS

eMMC 5.0:
Velocità di Lettura sequenziale: 250 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 90 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 7,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 13,000 IOPS

eMMC 4.5:
Velocità di Lettura sequenziale: 140 MB/s
Velocità di Scrittura sequenziale: 50 MB/s
Velocità di Lettura casuale: 7,000 IOPS
Velocità di Scrittura casuale: 2,000 IOPS 

Samsung 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019)